| 发明名称 | 提高数据保持能力的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种提高数据保持能力的方法，包括：在半导体衬底上依次形成多层金属互连层，在形成第二金属互连层与第三金属互连层之后分别进行退火。本发明通过在形成第二金属互连层与第三金属互连层之后分别进行退火，避免形成覆盖层的过程中引入的氢离子造成半导体器件数据保持能力漂移；同时不会对半导体器件的性能造成影响。 | ||
| 申请公布号 | CN104637864A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201310567433.0 | 申请日期 | 2013.11.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 柳会雄;刘良 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种提高数据保持能力的方法，应用于半导体器件的后段工艺中，包括：提供一半导体衬底，在其上依次形成包括第一金属互连层、第二金属互连层与第三金属互连层在内的多层金属互连层，其特征在于，在形成第二金属互连层与第三金属互连层之后分别进行退火。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||