发明名称 |
阵列基板及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括:基板;第一金属层图形,形成于所述基板之上,所述第一金属层图形的端面呈阶梯结构;保护层,形成于所述第一金属层图形之上;第二金属层图形,形成于所述保护层之上。本发明实施例的阵列基板中,第一金属层图形的端面呈阶梯结构,减少了第一金属层图形的端面的端差,从而有效避免由于第一金属层图形的端面的端差过大而导致的第二金属层图形出现断裂的情况。 |
申请公布号 |
CN102116977B |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN200910217534.9 |
申请日期 |
2009.12.31 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
秦纬 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种阵列基板,其特征在于,包括:基板;第一金属层图形,形成于所述基板之上,所述第一金属层图形的端面呈阶梯结构;保护层,形成于所述第一金属层图形之上,所述保护层的端面呈阶梯结构;第二金属层图形,形成于所述保护层之上,所述第二金属层图形的端面呈阶梯结构;所述第一金属层图形位于像素区,所述第一金属层图形包括漏极金属图形,所述第二金属层图形包括像素电极图形;或者所述第一金属层图形位于外围引线区,所述第一金属层图形包括源漏极金属引线图形和/或栅极金属引线图形,所述第二金属层包括连接电极图形。 |
地址 |
100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 |