| 发明名称 | 促进提高热传导性的半导体布置 | ||
| 摘要 | 半导体布置包括阱区和设置在阱区内的第一区域。第一区域包括第一导电类型。半导体布置包括在第一区域的第一侧上设置在阱区之上的第一栅极。第一栅极包括背离阱区的第一顶面。第一顶面具有第一顶面积。半导体布置包括设置在第一栅极之上的第一栅极接触件。第一栅极接触件包括朝向阱区的第一底面。第一底面具有第一底面积。第一底面积覆盖第一顶面积的至少约三分之二。本发明还提供了促进提高热传导性的半导体布置。 | ||
| 申请公布号 | CN104637993A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201410032858.6 | 申请日期 | 2014.01.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 宋明相;李介文;张伊锋;林文杰 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体布置，包括：阱区；第一区域，设置在所述阱区内，所述第一区域包括第一导电类型；第一栅极，在所述第一区域的第一侧上设置在所述阱区之上，所述第一栅极包括背离所述阱区的第一顶面，所述第一顶面具有第一顶面积；以及第一栅极接触件，设置在所述第一栅极之上，所述第一栅极接触件包括朝向所述阱区的第一底面，所述第一底面具有第一底面积，所述第一底面积覆盖所述第一顶面积的至少约三分之二。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||