| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：基板，包括阱区；具有栅极长度的栅电极，设置在阱区上；第一漂移区和第二漂移区，与栅电极叠置。第一漂移区和第二漂移区可以与栅电极叠置为作为栅极长度的百分比的叠置长度。 | ||
| 申请公布号 | CN104638006A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201410557919.0 | 申请日期 | 2014.10.20 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限公司 | 发明人 | 池熺奂;金兑昊 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 尹淑梅;韩芳 |
| 主权项 | 一种半导体器件，所述半导体器件包括：基板，包括阱区；具有栅极长度的栅电极，设置在阱区上；第一漂移区，与栅电极叠置叠置长度；以及第二漂移区，与栅电极叠置叠置长度。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道清州市 | ||