浅沟槽隔离结构的形成方法

摘要

本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，先在沟槽内形成氧化层，所述氧化层包括在所述沟槽内壁氧化生长的第一氧化层以及在所述第一氧化层上沉积的第二氧化层，然后对氧化层执行氮化工艺，如此，一方面利用氧化工艺获得较佳的圆角效果，确保NMOS阈值电压稳定，取得良好的窄沟道效应；另一方面控制有源区损失并且在应力控制方面效果理想，获得较佳的器件性能。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有若干隔离沟槽；在所述沟槽内形成氧化层，所述氧化层包括在所述沟槽内壁氧化生长的第一氧化层以及在所述第一氧化层上沉积的第二氧化层；对所述氧化层执行氮化工艺，使部分氧化层转化为氮氧化层；以及在所述沟槽内填充介质层，形成浅沟槽隔离结构。