| 发明名称 | 非易失性存储装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 这里提供一种制造非易失性存储装置的方法，该方法包括：在衬底的顶表面上交替地层叠多个绝缘层和多个导电层；形成暴露所述衬底的顶表面以及所述绝缘层的侧表面和所述导电层的侧表面的开口；至少在所述导电层的暴露的侧表面上形成抗氧化层；在所述抗氧化层上形成栅极电介质层，所述栅极电介质层包括顺序形成在所述抗氧化层上的阻挡层、电荷存储层和隧穿层；以及在所述隧穿层上形成沟道区。 | ||
| 申请公布号 | CN104637883A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201410641349.3 | 申请日期 | 2014.11.13 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴镇泽;朴泳雨;李载德 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 翟然 |
| 主权项 | 一种制造非易失性存储装置的方法，包括：在衬底的顶表面上交替地层叠多个绝缘层和多个导电层；形成暴露所述衬底的所述顶表面以及所述绝缘层的侧表面和所述导电层的侧表面的开口；至少在所述导电层的暴露的侧表面上形成抗氧化层；在所述抗氧化层上形成栅极电介质层，所述栅极电介质层包括顺序形成在所述抗氧化层上的阻挡层、电荷存储层和隧穿层；以及在所述隧穿层上形成沟道区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||