嵌入式闪存的制造方法

摘要

本发明公开了一种嵌入式闪存的制造方法。隔离结构具有突出基底的突起部。突起部间具有介电图案。移除晶胞区的部分介电图案，以于突起部间形成第一开口。于晶胞区的第一开口间形成第一导体层。移除周边区的介电图案，以于突起部间形成第二开口。于周边区形成绝缘层及第二导体层，以填入第二开口。移除晶胞区的部分突起部。于基底上形成绝缘材料层、第三导体材料层、第一硅化物材料层及掩模材料层。进行图案化工艺，以于晶胞区及周边区形成第一及第二栅极结构。于第一栅极结构之间的基底上、第二栅极结构的顶面上及其两侧的基底上形成第二硅化物层。本发明在保持逻辑元件效能的情况下，避免闪存字元线至源极/漏极的漏电现象。

主权项

一种嵌入式闪存的制造方法，其特征在于，该嵌入式闪存的制造方法包括：提供具有一晶胞区与一周边区的一基底，多个隔离结构配置于所述基底中并分别具有从所述基底突出的多个突起部，相邻突起部之间配置有一介电图案；移除所述晶胞区上的部分所述介电图案，以于相邻突起部之间形成一第一开口；于所述晶胞区及所述周边区的所述基底上形成一第一导体材料层；移除所述周边区上的所述第一导体材料层，以暴露出所述周边区上的部分所述介电图案的顶面，以及移除所述晶胞区上的部分所述第一导体材料层直到暴露出所述多个突起部的顶面，以于所述晶胞区的所述第一开口之间形成一第一导体层；移除所述周边区上的所述介电图案，以于相邻突起部之间形成一第二开口；于所述周边区的所述基底上依序形成一绝缘层及一第二导体层，以填入所述第二开口中；移除所述晶胞区的各突起部的一部分；于所述晶胞区与所述周边区的所述基底上依序形成一绝缘材料层、一第三导体材料层、一第一金属硅化物材料层及一掩模材料层；进行至少一图案化工艺，以于所述晶胞区上形成多个第一栅极结构以及于所述周边区上形成至少一第二栅极结构；以及于所述多个第一栅极结构之间的所述基底上、所述第二栅极结构的顶面上、以及所述第二栅极结构的两侧的所述基底上形成一第二金属硅化物层。