| 发明名称 | 成形体、包覆体及成形体的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及成形体、包覆体及成形体的制造方法。本发明的课题在于提供一种可以抑制回弹及分层、且表现出充分的绝热性能的成形体。所述成形体含有二氧化硅，具有细孔，细孔直径为0.1μm以上150μm以下的细孔的累积细孔容积V<sub>0.1</sub>与细孔直径为0.003μm以上150μm以下的细孔的累积细孔容积V<sub>0.003</sub>的比例R<sub>0.1</sub>为50％以上85％以下，所述V<sub>0.1</sub>为0.2mL/g以上3mL/g以下，30℃下的热导率为0.05W/m·K以下。 | ||
| 申请公布号 | CN103044060B | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201110308267.3 | 申请日期 | 2011.10.11 |
| 申请人 | 旭化成化学株式会社 | 发明人 | 饭塚千博;新纳英明 |
| 分类号 | C04B38/00(2006.01)I;C04B32/00(2006.01)I | 主分类号 | C04B38/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种成形体，其含有二氧化硅，具有细孔，细孔直径为0.1μm以上150μm以下的细孔的累积细孔容积V<sub>0.1</sub>与细孔直径为0.003μm以上150μm以下的细孔的累积细孔容积V<sub>0.003</sub>的比例R<sub>0.1</sub>为50％以上85％以下，所述V<sub>0.1</sub>为0.2mL/g以上3mL/g以下，30℃下的热导率为0.05W/m·K以下，所述成形体包含含有二氧化硅、且平均粒径D<sub>S</sub>为5nm以上30nm以下的小颗粒和含有二氧化硅、且平均粒径D<sub>L</sub>为40nm以上60μm以下的大颗粒，所述成形体是通过包含以下工序的制造方法而得到的：将含有二氧化硅、且平均粒径D<sub>S</sub>为5nm以上30nm以下的小颗粒和含有二氧化硅、且平均粒径D<sub>L</sub>为40nm以上60μm以下的大颗粒混合，得到无机混合物的工序；和将所述无机混合物以成形体的体积密度为0.25g/cm<sup>3</sup>以上2.0g/cm<sup>3</sup>以下的方式加压成形的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||