发明名称 |
存取半导体存储设备的存储系统和方法 |
摘要 |
提供一种带有处理器、主存储器和闪存的存储器系统。通过获得加速和高的数据可靠性可提高存储器系统的性能。存储器系统包括非易失性存储器设备和用于驱动控制程序来控制非易失性存储器设备的控制器。即使在对非易失性存储器设备的第一存取操作完成之前,控制程序也执行对于非易失性存储器设备的第二存取操作。 |
申请公布号 |
CN101673581B |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN200910205766.2 |
申请日期 |
2009.06.15 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
李在修;卢羌镐;赵原熙;沈昊俊;崔永准;许在训;宋济赫;赵承德;金善择;吴文旭;朴钟泰;朴赞益;千源汶;李洋燮 |
分类号 |
G06F12/02(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
钱大勇 |
主权项 |
一种非易失性存储器设备,包括:存储器单元阵列,包括多个多电平单元;以及控制单元,被配置为确定将要存储在所述存储器单元阵列中的数据的特性,其中,所述控制单元被配置为基于该确定选择多个多位编程方法之一,其中,根据所选择的多位编程方法将数据存储在所述存储器单元阵列中,并且当存在最高有效位MSB数据的编程失败时,所述多个多位编程方法的至少之一包含编程最低有效位LSB数据,其中所述多个多位编程方法包括第一多位编程方法和第二多位编程方法,如果将要存储的数据的地址对应于所述存储器单元阵列的第一区域,则所述控制单元被配置为选择所述第一多位编程方法作为所选择的多位编程方法,并且如果将要存储的数据的地址对应于所述存储器单元阵列的第二区域,则所述控制单元被配置为选择所述第二多位编程方法作为所选择的多位编程方法。 |
地址 |
韩国京畿道 |