一种基于SOI的横向恒流二极管及其制造方法

摘要

本发明提供了一种基于SOI的横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述基于SOI的横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底，N型轻掺杂硅、P型重掺杂区、N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、金属阳极、P型掺杂区、埋氧层；P型重掺杂区位于N型重掺杂区和P型掺杂区之间，N型重掺杂区部分包含于P型重掺杂区之中，N型重掺杂区与P型重掺杂区短接并与金属阴极欧姆接触，P型掺杂区与金属阳极欧姆接触。本发明恒流二极管采用PN结短接结构，可减小芯片面积，降低成本；同时采用SOI技术，可有效防止在集成系统中衬底漏电流带来的不利影响。

主权项

一种基于SOI的横向恒流二极管，由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底(2)，绝缘层上N型轻掺杂硅(3)、P型重掺杂区(4)、N型重掺杂区(5)、氧化介质层(6)、金属阴极(7)、金属阳极(8)、P型掺杂区(9)、埋氧层(10)；所述埋氧层(10)位于衬底(2)之上，所述N型轻掺杂硅(3)位于埋氧层(10)之上，所述P型重掺杂区(4)、N型重掺杂区(5)和P型掺杂区(9)位于N型轻掺杂硅(3)之中，所述P型重掺杂区(4)位于N型重掺杂区(5)和P型掺杂区(9)之间，所述N型重掺杂区(5)部分包含于P型重掺杂区(4)之中，所述N型重掺杂区(5)与P型重掺杂区(4)短接并与金属阴极(7)形成欧姆接触，所述P型掺杂区(9)与金属阳极(8)形成欧姆接触。