半导体器件收缩尺寸的封装结构及方法

摘要

本发明提供一种半导体器件收缩尺寸的封装结构及方法，封装方法为：提供一用于制作第一产品的半导体基底，在半导体基底上制作按照第一产品的尺寸收缩的第二产品，第二产品具有位于顶部的第一顶层金属层；淀积一介质层并开孔；在开孔内形成第一焊盘，并在第一焊盘以及介质层的表面上形成第二顶层金属层，采用光刻工艺保留用于连接第二产品的第一焊盘到第一产品的第二焊盘之间区域的第二顶层金属层；覆盖一绝缘层，在对应于绝缘层中制作第二焊盘；对准第二焊盘采用第一产品的晶圆级封装测试工艺，对上述结构进行封装测试，使尺寸收缩后的产品完全采用原有的工艺进行封装，节省了封装调试的时间，并缩短了产品开发周期。

主权项

一种半导体器件收缩尺寸的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一用于制作第一产品的半导体基底，在所述半导体基底上制作按照所述第一产品的尺寸进行收缩的第二产品，所述第二产品具有位于顶部的第一顶层金属层；在所述第二产品上淀积一介质层，并在位于所述第一顶层金属层上的介质层中打开一第一孔；淀积金属，在所述第一孔内填充满金属以形成一第一焊盘，并在所述第一焊盘以及介质层的表面上形成一第二顶层金属层，采用光刻工艺保留用于连接所述第二产品的第一焊盘到所述第一产品的第二焊盘之间区域的第二顶层金属层；在所述第二顶层金属层以及暴露出的介质层的表面上覆盖一绝缘层，并在所述绝缘层中制作所述第二焊盘；采用所述第一产品的晶圆级封装测试工艺对准所述第二焊盘，对包括所述半导体基底及位于所述半导体基底上的各部分进行封装测试。