用于光刻操作的间隔件双重图案化

摘要

本申请涉及用于光刻操作的间隔件双重图案化。本发明揭示半导体装置制作及布局产生的系统及方法。实例性方法包含以下过程：沉积第一材料层并图案化所述层以形成初始图案，其中所述初始图案使用单个曝光来界定布局元件的关键特征；在衬底上的第一图案上方沉积间隔件材料并蚀刻所述间隔件材料，使得所述间隔件材料从所述衬底及所述第一图案的水平表面被移除但仍保持在邻近于所述第一图案的垂直表面处；从所述衬底移除所述初始图案而留下间隔件图案中的所述间隔件材料；用最终材料填充所述间隔件图案；及修整所述经填充图案以移除所述最终材料的超过所述布局元件的尺寸的部分。

主权项

一种用于产生用于集成电路的布局文件的方法，其包括：选择所述电路的第一及第二布局元件；界定经重新确定大小的第一布局元件的外形的数据表示，其中，所述外形围绕所述经重新确定大小的第一布局元件且具有一宽度；及组合所述经重新确定大小的第一布局元件的外形的数据表示与所述第二布局元件的数据表示以得出初始图案的数据表示。