浅沟槽隔离结构的制作方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成氧化层和刻蚀阻挡层；刻蚀形成沟槽；沉积掺碳氮化硅材质的衬垫层覆盖所述沟槽的底面和侧壁；进行热氧化工艺和退火工艺；沉积隔离材料填充所述沟槽；进行化学机械研磨；刻蚀去除浅沟槽外的衬垫层、所述刻蚀阻挡层、所述氧化层以及部分隔离材料，形成浅沟槽隔离结构。通过在刻蚀形成沟槽后，覆盖掺碳氮化硅材质的衬垫层，进行热氧化工艺和退火工艺，使掺碳氮化硅中部分氮化硅变为氮氧化硅，且掺碳氮化硅中的碳进入衬垫层与沟槽相接界面处，从而抑制硼掺杂的扩散进入浅沟槽隔离结构，避免掺杂区中硼掺杂浓度的减少，从而保护半导体器件的掺杂区浓度，提高半导体器件的性能。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成氧化层和刻蚀阻挡层；刻蚀部分刻蚀阻挡层、氧化层和半导体衬底，以形成沟槽；沉积衬垫层，覆盖所述沟槽的底面和侧壁，所述衬垫层的材质为掺碳氮化硅；进行热氧化工艺使衬垫层的掺碳氮化硅材质中部分氮化硅变为氮氧化硅；进行退火工艺，使得所述掺碳氮化硅中的碳游离出进入与沟槽相接界面处；沉积隔离材料以填充所述沟槽；进行化学机械研磨直至暴露所述衬垫层；刻蚀去除浅沟槽外的衬垫层、所述刻蚀阻挡层、所述氧化层以及部分隔离材料，直至暴露所述半导体衬底，形成浅沟槽隔离结构。