一种相变随机存储器阵列与外围电路芯片的集成方法

摘要

本发明属于微纳电子学技术领域，涉及一种相变随机存储器阵列与CMOS流片外围电路芯片的集成方法，包括：将外围电路芯片上顶层金属阵列或/和顶层钨塞阵列的钝化层去掉；保留顶层金属阵列，或去掉顶层金属阵列并保留顶层金属层与次顶层金属层之间的顶层钨塞阵列；外围电路芯片顶层表面待集成存储器阵列的区域以外的位置制作定标符号；将存储器阵列的下电极层制作在顶层金属阵列或者顶层钨塞阵列上面，然后依次制作存储器阵列其他各层，实现外围电路芯片与存储器阵列的集成。这样可以进一步研究CMOS工艺与相变随机存储器的兼容性、CMOS寄生效应对相变随机存储器的影响等问题，对相变随机存储器走向实用化，商业化具有较大的意义。

主权项

一种实现相变随机存储器阵列与外围电路芯片直接集成的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：第1步完全去除在外围电路芯片上待集成相变随机存储器阵列区域的钝化层；然后去除外围电路芯片上的顶层金属阵列，同时保留顶层金属层与次顶层金属层之间的顶层钨塞阵列，由此将上述顶层钨塞阵列所处的区域作为待集成相变随机存储器阵列的区域；第2步在外围电路芯片顶层表面待集成相变随机存储器阵列的区域以外的位置制作定标符号，然后将相变随机存储器阵列与外围电路芯片上的顶层钨塞阵列对准，同时将相变随机存储器阵列的下电极层制作在顶层钨塞阵列上面；第3步依次制作相变随机存储器阵列的其他各层，由此实现外围电路芯片与相变存储器阵列的集成。