发明名称 |
一种介孔结构铜铟硫光电薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于铜铟硫光电薄膜技术领域,具体涉及一种介孔结构铜铟硫光电薄膜及其制备方法。本发明将其他光电材料的前驱液灌入铜铟硫的孔洞中后退火,可以生成一种体异质结,将铜铟硫光电薄膜做成介孔结构,可以提高相应两种材料的接触面积,有利于激子的分离,这样可以提升光电器件的性能,使其能够应用于铜铟硫-相关的太阳能电池并能改善电池的性能。 |
申请公布号 |
CN104638035A |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201510031895.X |
申请日期 |
2015.01.22 |
申请人 |
河南大学 |
发明人 |
陈冲;黎春喜;李福民;翟勇 |
分类号 |
H01L31/0264(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0264(2006.01)I |
代理机构 |
郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 |
代理人 |
时立新;郭丽娜 |
主权项 |
一种制备介孔结构铜铟硫光电薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将切好的ITO导电玻璃清洗,得到洁净的ITO基片;2)称取0.11mmol碘化亚铜、0.1mmol醋酸铟、0.5mmol硫脲,共同溶于1.2ml甲胺与0.08ml丙酸组成的混合溶液中,配置成铜铟硫前驱体溶液;3)取0.08ml步骤2)配置好的铜铟硫前驱体溶液,滴到步骤1)清洗后的ITO基片上,而后匀胶,最后将匀胶好的ITO基片放到热台上,氮气环境下退火,ITO基片上得到一层致密的铜铟硫薄膜,基片记为ITO/compact‑CuInS<sub>2</sub>;4)按步骤2)中的原料用量比例配制铜铟硫前驱体溶液200ml,向其中混入三氧化二铝纳米粒异丙醇悬浊液200ml形成混合液,而后将此混合液磁力搅拌至其充分混合;5)取步骤4)的混合液0.08ml滴到步骤3)得到的基片上并匀胶,而后退火,ITO基片上得到掺杂有三氧化二铝的铜铟硫光电薄膜,基片记为ITO/compact‑CuInS<sub>2</sub>/hybrid‑ CuInS<sub>2</sub>;6)将步骤5)得到的基片放入氢氧化钠水溶液中浸泡,取出后用去离子水清洗,而后将其放到热台上氮气环境下烘干,即得到具有介孔结构的铜铟硫光电薄膜,基片记为ITO/compact‑CuInS<sub>2</sub>/mesoporous‑CuInS<sub>2</sub>。 |
地址 |
475001 河南省开封市明伦街85号 |