一种横向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法

摘要

本发明涉及一种横向导通的GaN常关型MISFET器件，该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层以及栅极、源极、漏极、绝缘层。所述外延层包括一次外延生长的应力缓冲层及GaN外延层，以及其上的选择区域生长的二次外延层，所述二次外延层自下至上为杂质过滤层、非掺杂外延GaN层和异质结构势垒层，二次外延生长形成凹槽沟道，凹槽沟道和异质结构势垒层的表面覆盖绝缘层，栅极覆盖于绝缘层上的凹槽沟道处，刻蚀绝缘层两端形成源极和漏极区域，源极和漏极区域处蒸镀金属形成与异质结构势垒层欧姆接触的源极和漏极。本发明器件结构简单，工艺重复性和可靠性高，能有效抑制二次生长界面处杂质向二次外延层扩散，从而有效降低二次生长的异质结构沟道中2DEG的杂质散射，提高其迁移率，降低了器件导通电阻，使器件获得高输出电流密度和高开关比。

主权项

一种横向导通的GaN常关型MISFET器件，其特征在于，包括由下往上依次包括衬底（1）、应力缓冲层（2）、GaN外延层（3）、二次外延生长的杂质过滤层（4）及非掺杂GaN层（5）和异质结构势垒层（6），二次外延生长形成凹槽，凹槽沟道和异质结构势垒层（6）裸露的表面覆盖一绝缘层（7），异质结构势垒层（6）的两端形成有源极（8）和漏极（9），凹槽沟道处的绝缘层（8）上覆盖有栅极（10）。