发明名称 |
一种芯片参数的识别方法及系统 |
摘要 |
本发明公开了一种芯片参数的识别方法及系统,用以识别nandflash芯片的物理参数。本发明提供的一种芯片参数的识别方法包括:分别向闪存nandflash芯片的多个特定字节区域写入不同的数据,其中,所述特定字节区域是预先根据nandflash芯片的各种页page类型确定的;读取特定字节区域中的数据,通过将读取到的数据与写入该特定字节区域中的数据进行比较,确定nandflash芯片的page类型。 |
申请公布号 |
CN102103891B |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN200910242883.6 |
申请日期 |
2009.12.18 |
申请人 |
无锡中星微电子有限公司 |
发明人 |
凌明 |
分类号 |
G11C16/20(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种芯片参数的识别方法,其特征在于,该方法包括:分别向闪存nandflash芯片的多个特定字节区域写入不同的数据,其中,所述特定字节区域是预先根据nandflash芯片的各种页page类型确定的;读取特定字节区域中的数据,通过将读取到的数据与写入该特定字节区域中的数据进行比较,确定nandflash芯片的page类型;确定nandflash芯片的page类型之后,还包括:重新启动nandflash芯片,向一个page的一部分数据区域写入特定数据;重新启动nandflash芯片,向该page的另一部分数据区域写入特定数据;重新启动nandflash芯片,读取该page的全部数据;比较从所述另一部分数据区域读取到的数据,与向该部分数据区域写入的特定数据是否相同,如果是,则确定所述nandflash芯片的物理结构为单级单元SLC物理结构;否则,确定所述nandflash芯片的物理结构为多级单元MLC物理结构。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市新区长江路21-1号国家集成电路设计园(创源大厦) |