发光二极管芯片、其制造方法及发光二极管封装件

摘要

这里公开了一种具有分布布拉格反射器的发光二极管芯片、其制造方法和发光二极管封装件。发光二极管芯片包括：基板；发光结构，位于基板的上部上并包括设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层；分布布拉格反射器，反射从发光结构发射的光。分布布拉格反射器对在蓝光波长范围的第一波长的光、绿光波长范围的第二波长的光和红光波长范围的第三波长的光具有90％或更大的反射率。

主权项

一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括：基板，具有前表面和后表面；发光结构，位于基板的前表面上并包括设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层；分布布拉格反射器，位于基板的后表面上，并反射从发光结构发射的光；以及反射金属层，位于分布布拉格反射器上，其中，基板的后表面的表面粗糙度具有1nm或更小的均方根值，分布布拉格反射器对蓝光波长范围的第一波长的光、绿光波长范围的第二波长的光和红光波长范围的第三波长的光具有90％或更大的反射率，其中，分布布拉格反射器包括第一分布布拉格反射器和第二分布布拉格反射器，第一分布布拉格反射器对绿光或红光波长范围的光比对蓝光波长范围的光具有更高的反射率，第二分布布拉格反射器对蓝光波长范围的光比对红光波长范围的光具有更高的反射率，第一分布布拉格反射器比第二分布布拉格反射器更靠近基板。