| 发明名称 | 反相器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及反相器。所述反相器包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。 | ||
| 申请公布号 | CN102593188B | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201210057047.2 | 申请日期 | 2008.05.15 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 大藤将人;安部胜美;林享;佐野政史;云见日出也 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 罗银燕 |
| 主权项 | 一种反相器，包括形成在基板上的第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管和第二晶体管的每一个沟道层由包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素的氧化物半导体构成，其中，所述第一晶体管的沟道层比所述第二晶体管的沟道层厚，并且所述第一晶体管的源极电极和所述第二晶体管的漏极电极相互连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||