| 发明名称 | 一种适用于GaN材料外延产业化的托舟 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，解决氮化镓半导体材料外延过程中副产物生成过快，导致系统维护频率高的难题。本发明包含有托舟，托舟四周设计有高低不同凸起的侧壁，反应物被喷洒在侧壁内侧，托舟底部设有数层可拆开的分层结构，托舟底部的衬底层上设有复数用于放置衬底的衬底槽，在托舟各层设置位于流道隔壁中的流道，托舟设计有数个尾气出口，尾气出口连接对应的尾气管道。本发明实现了控制副产物生成位置，使副产物生长在托舟内部，以清理托舟方式来降低系统清理频率，有利于实现生长氮化镓材料的产业化。 | ||
| 申请公布号 | CN102797034B | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201210309119.8 | 申请日期 | 2012.08.27 |
| 申请人 | 东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学 | 发明人 | 赵红军;刘鹏;毕绿燕;袁志鹏;张俊业;张国义;童玉珍;孙永健 |
| 分类号 | C30B25/12(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 谭一兵;王东亮 |
| 主权项 | 一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，包含有：托舟(1)，其特征在于，所述托舟(1)四周设计有高低不同凸起的侧壁(11)，所述托舟(1)底部设有数层可拆开的分层结构，所述托舟(1)底部的衬底层(14)上设有复数用于放置衬底的衬底槽(15)，所述托舟(1)各层设置位于流道隔壁(13)中的流道，所述托舟(1)的衬底层(14)下设置有位于流道隔壁(13)中的流道，所述托舟(1)设计有数个尾气出口(12)，所述尾气出口(12)连接对应的尾气管道。 | ||
| 地址 | 523518 广东省东莞市企石镇科技工业园 | ||