| 发明名称 | 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，提出一种新的制备金属氧化物半导体有源层的方法。该薄膜晶体管的制备方法包括：在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、金属氧化物半导体有源层、源极和漏极；其中，所述形成金属氧化物半导体有源层包括：通过电化学反应形成所述金属氧化物半导体有源层。用于薄膜晶体管、包含该薄膜晶体管的阵列基板及显示装置的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN104638016A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201510044070.1 | 申请日期 | 2015.01.28 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 姜春生;李旭远;刘威 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制备方法，包括在基板上形成栅极、栅绝缘层、金属氧化物半导体有源层、源极和漏极；其特征在于，所述形成金属氧化物半导体有源层，包括：通过电化学反应形成所述金属氧化物半导体有源层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||