一种电压驱动型辐射源电磁辐射分析测量方法

摘要

电压驱动型辐射源电磁辐射分析测量方法，对PCB电路和辐射线缆测定电路参数分析和测量电路近场辐射特性，考虑PCB电路辐射线缆小尺寸模型，根据辐射电磁场E场强与辐射线缆共模电流I_CM之间的关系可建立辐射电磁干扰噪声与PCB电路参数间的关系；在半波暗室中，估算的辐射电磁场要乘以2以补偿最坏情况下地面的反射；PCB电路和辐射线缆之间的CM电流能够用等效CM电压来表示，得到最大辐射场，共模电压信号与PCB板电压信号之间的关系为式中，C_t-c为辐射线缆与PCB板间的分布电容，C_in为辐射线缆输入电容；仅需测量PCB板中的电路参数，即可测量、预估计算辐射电磁干扰噪声大小。

主权项

电压驱动型辐射源电磁辐射分析测量方法，对PCB电路和辐射线缆测定电路参数分析和测量电路近场辐射特性，其特征是考虑PCB电路辐射线缆小尺寸模型，根据辐射电磁场E场强与辐射线缆共模电流I_CM之间的关系可建立辐射电磁干扰噪声与PCB电路参数间的关系:式中，P_rad为辐射功率，E为辐射电磁场场强，η₀为自由空间波阻抗120πΩ，R_rad为辐射线缆共模阻抗，r为测试距离，I_CM为辐射线缆共模电流；若考虑偶极子天线模型，其辐射线缆共模阻抗是100Ω，则由此产生辐射电磁场场强为$\left|E\right|\approx \sqrt{30R_{\mathrm{rad}}}\frac{I_{\mathrm{CM}}}{r}\approx \left(55\Omega \right)\frac{I_{\mathrm{CM}}}{r}---\left(2\right)$通常，辐射电磁干扰噪声测试是在半波暗室中进行，因此综合考虑地面反射问题，上述计算需乘以2作为补偿；在半波暗室中，估算的辐射电磁场要乘以2以补偿最坏情况下地面的反射；PCB电路和辐射线缆之间的CM电流能够用等效CM电压来表示，CM表示共模，最大辐射场为：${\left|E\right|}_{\max }\approx \frac{2V_{\mathrm{CM}}}{r}\sqrt{\frac{30}{R_{\mathrm{rad}}}}\approx 1.1\frac{V_{\mathrm{CM}}}{r}---\left(3\right)$式中，V_CM为共模电压信号；共模电压信号与PCB板电压信号之间的关系为$V_{\mathrm{CM}}=\frac{C_{t-c}}{C_{\mathrm{in}}}{V}_{\mathrm{DM}}---\left(4\right)$式中，C_t‑c为辐射线缆与PCB板间的分布电容，C_in为辐射线缆输入电容；据此，仅需测量PCB板中的电路参数，即能测量、预估计算辐射电磁干扰噪声大小，从而实现辐射目标重构。