一种耐高温平面结构型超高压二极管芯片

摘要

一种耐高温平面结构型超高压二极管芯片。提供了一种耐温性能高，正反向浪涌能力有较大提升的耐高温平面结构型超高压二极管芯片。所述芯片本体呈薄片状，芯片本体上部设有主结和顶面电极，芯片本体下部设有衬底和底面电极，在所述主结外圈还设有3-5圈场限环；在最外圈场限环的外部还设有一圈截止环；所述至少两圈场限环的顶面高度与所述主结顶面高度一致，所述至少两圈场限环的深度与所述主结的深度一致；所述截止环的顶面高度与所述主结的顶面高度一致；各所述场限环的宽度不等。本发明大大提升了产品的高温性能，达到Tj=175℃不失效，正反向浪涌能力有较大提升。

主权项

一种耐高温平面结构型超高压二极管芯片，所述芯片本体呈薄片状，芯片本体上部设有主结和顶面电极，芯片本体下部设有衬底和底面电极，在所述主结外圈还设有3‑5圈场限环；在最外圈场限环的外部还设有一圈截止环；所述3‑5圈场限环的顶面高度与所述主结顶面高度一致，所述3‑5圈场限环的深度与所述主结的深度一致；所述截止环的顶面高度与所述主结的顶面高度一致；其特征在于，各所述场限环的宽度不等；在所述截止环顶面边缘向内1/5‑1/2的顶面宽度尺寸为起点至所述主结顶面边缘向内1/50‑1/20的顶面直径尺寸为终点的范围内设有组合钝化保护层；所述组合钝化保护层覆盖：所述截止环顶面起点内的部分、最外圈场限环至截止环之间的间隙、各场限环顶面、各场限环之间的间隙、最内圈场限环至主结外圆之间的间隙以及所述主结终点外的部分；所述组合钝化保护层由内及表包括半绝缘多晶硅薄膜层、钝化玻璃层和二氧化硅膜层。