| 摘要 |
Det beskrives en fremgangsmåte for fremstilling av en passiveringsstabel på en solcelleanordning (1) av krystallinsk silisium, fremgangsmåten omfatter trinnene med: - tilveiebringelse av et substrat omfattende et lag (2) av krystallinsk silisium, så som en wafer eller chip av krystallinsk silisium; - rensing av en overflate (21, 23) av laget (2) av krystallinsk silisium ved fjerning av et oksidlag i det minste fra et parti av én side av laget (2) av krystallinsk silisium; - avsetting av, på i det minste en del av den rensede overflaten (21, 23), et lag av silisiumoksynitrid (3); og - avsetting av et dekklag (5) omfattende et hydrert dielektrisk materiale oppå laget av silisiumoksynitrid (3), hvor laget av silisiumoksynitrid (3) avsettes ved en temperatur mellom 100 °C og 200 °C, fortrinnsvis mellom 100 °C og 150 °C, og enda mer foretrukket mellom 100 °C og 130 °C. Det beskrives også en solcelleanordning av krystallinsk silisium som kan fremskaffes ved hjelp av en fremgangsmåte i henhold til oppfinnelsen. |
