发明名称 一种Al/Si<sub>p</sub>陶瓷基复合材料制备方法
摘要 一种Al/Si<sub>p</sub>陶瓷基复合材料制备方法,属于陶瓷复合材料制备领域。提供一种成熟参数的Al/Si<sub>p</sub>陶瓷基复合材料制备方法。所述方法以Mg含量为10%、Si含量为15%的铝合金和SiC为原料,通过SiC氧化、SiC骨架制备和无压烧结三步骤制备出Al/Si<sub>p</sub>陶瓷基复合材料。该制备方法采用的Al合金中添加Mg,提高了铝液同SiC之间的浸润性,Al合金中添加Si防止了有害Al<sub>4</sub>C<sub>3</sub>界面形成,制备的复合材料浸渗充分,组织致密化程度高,具有广泛的应用前景。
申请公布号 CN104630535A 申请公布日期 2015.05.20
申请号 CN201410743974.9 申请日期 2014.12.09
申请人 周勇 发明人 周勇
分类号 C22C1/08(2006.01)I 主分类号 C22C1/08(2006.01)I
代理机构 西安亿诺专利代理有限公司 61220 代理人 刘斌
主权项 一种Al/Si<sub>p</sub>陶瓷基复合材料制备方法,其特征在于:包括SiC氧化、SiC骨架制备和无压烧结三步骤;所述SiC氧化步骤为,将SiC颗粒加热到800~850℃,冷却降温;所述SiC骨架制备步骤为,SiC骨架的制备采用添加造孔剂法,造孔剂为石蜡粉末,坯体中石蜡含量为15%,SiC骨架坯体采用模具成型,将氧化后的SiC浇入模具中,将SiC骨架放在重烧炉中烧结,形成多孔的SiC骨架;所述无压烧结步骤为,将SiC骨架和铝合金放在刚玉坩埚中,SiC骨架放在下面,铝合金放上面,在真空炉中充以氮气保护,1100℃下浸渗,保温时间低于3h。
地址 710000 陕西省西安市枫叶广场B座1004座