| 发明名称 | 基于晶硅光伏技术的硅基GaN发光器件及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种基于晶硅光伏技术的硅基GaN发光器件，包括：一N型或P型硅(100)的衬底；一随机分布的正金字塔结构，其制作在衬底上；一缓冲反射层，其制作在正金字塔结构的表面，该缓冲反射层的材料为高温AlN或低温AlN；一发光层，其制作在缓冲反射层上，该发光层的表面平行于正金字塔结构表面，或平行于衬底的表面；一透明导电氧化物层，其制作在发光层上，该透明导电氧化物层的表面为一平面；一上电极层，其制作在透明导电氧化物层上，该上电极层为网状分布；一下电极层，其制作在衬底的背面。本发明可以有效地释放外延材料应力，从而得到高质量的外延GaN，制造低成本、高效的发光LED。 | ||
| 申请公布号 | CN104638081A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201510028792.8 | 申请日期 | 2015.01.20 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 袁国栋;王克超;李晋闽 |
| 分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种基于晶硅光伏技术的硅基GaN发光器件，包括：一N型或P型硅(100)的衬底；一随机分布的正金字塔结构，其制作在衬底上；一缓冲反射层，其制作在正金字塔结构的表面，该缓冲反射层的材料为高温AlN或低温AlN；一发光层，其制作在缓冲反射层上，该发光层的表面平行于正金字塔结构表面，或平行于衬底的表面；一透明导电氧化物层，其制作在发光层上，该透明导电氧化物层的表面为一平面；一上电极层，其制作在透明导电氧化物层上，该上电极层为网状分布；一下电极层，其制作在衬底的背面。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||