一种改善光刻胶剥离缺陷的方法

摘要

本发明涉及半导体刻蚀领域，尤其涉及一种改善光刻胶剥离缺陷的方法。通过用简单的一步等离子体工艺对富硅氧化物薄膜表面进行处理，这样增大了富硅氧化物薄膜与光刻胶之间的粘附力，减小了富硅氧化物薄膜生长完成到光刻制程之间的最短放置时间，且可以避免光刻胶的剥离缺陷。

主权项

一种改善光刻胶剥离缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供一硅衬底；步骤S2：于所述硅衬底上沉积一层富硅氧化物薄膜；步骤S3：对所述富硅氧化物薄膜进行等离子体处理工艺；步骤S4：于所述富硅氧化物薄膜上沉积光刻胶，并于对所述光刻胶进行曝光、显影后，进行刻蚀工艺。