| 发明名称 | III族氮化物复合衬底及其制造方法以及制造III族氮化物半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包括以下步骤：直接或间接地将III族氮化物膜(13)和支撑衬底(11)彼此结合；以及减少彼此结合的III族氮化物膜(13)和/或支撑衬底的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN104641453A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201380046378.9 | 申请日期 | 2013.09.04 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 石桥惠二;八乡昭广;广村友纪;松本直树;中畑成二;中西文毅;柳泽拓弥;上松康二;关裕纪;山本喜之;善积祐介;三上英则 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种III族氮化物复合衬底，包括III族氮化物膜以及由化学组成不同于所述III族氮化物膜的材料形成的支撑衬底，所述III族氮化物膜以直接方式和间接方式中的一种接合至所述支撑衬底，所述III族氮化物膜具有10μm或更大的厚度，并且所述III族氮化物复合衬底的III族氮化物膜侧的主表面的薄层电阻为200Ω/sq或更小。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||