发明名称 |
固态图像传感器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种固态图像传感器件及其制造方法,改善了图像传感器的性能。在平面图中,氟被引入到放大晶体管的栅极电极GE1中的与沟道区域重叠的部分中,但不被引入到半导体衬底1S的内部中。具体地,如图20所示,按照使栅极电极GE1中的与沟道区域平面地重叠的部分开口的方式,对抗蚀膜FR1进行图案化。然后,将其中形成开口OP1的抗蚀膜FR1用作掩膜,通过离子注入法,将氟注射到从开口OP1中暴露出来的栅极电极GE1的内部中。 |
申请公布号 |
CN104637964A |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201410641781.2 |
申请日期 |
2014.11.06 |
申请人 |
瑞萨电子株式会社 |
发明人 |
西田征男;山下朋弘;山本有纪 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H04N5/335(2011.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华 |
主权项 |
一种固态图像传感器件,包括具有成像区域的半导体衬底,所述成像区域中形成有多个像素,其中所述成像区域形成有:(a)光电转换部,用于将入射光转换为电荷;以及(b)放大晶体管,用于放大基于所述电荷的电信号,其中每个所述放大晶体管包括:(b1)源极区域和漏极区域,按照彼此隔离的方式形成在所述半导体衬底中;(b2)沟道区域,夹设在所述源极区域与所述漏极区域之间;(b3)栅极绝缘膜,形成在所述沟道区域之上;以及(b4)栅极电极,形成在所述栅极绝缘膜之上,以及其中在平面图中,氟被引入到所述栅极电极中的与所述沟道区域重叠的部分中,但不被引入到所述半导体衬底的内部中。 |
地址 |
日本神奈川县 |