发明名称 |
钨塞的形成方法 |
摘要 |
本发明揭示了一种钨塞的形成方法,包括如下步骤:在介质层上形成通孔,在通孔内及介质层的表面沉积金属钨;采用化学机械研磨工艺将介质层表面的金属钨去除,通孔中的金属钨表面与介质层表面齐平;清洗介质层表面,将被研磨掉的钨颗粒全部去除;采用干法或湿法刻蚀工艺去除一定厚度的介质层,去除的介质层的厚度值与钨塞凸伸出介质层表面的高度一致。本发明通过采用化学机械研磨工艺将介质层表面的金属钨去除,并使通孔中的金属钨表面与介质层表面齐平,然后清洗介质层表面,将被研磨掉的钨颗粒全部去除,在后续介质层的去除过程中,不会再产生钨颗粒,从而不会出现被研磨掉的钨颗粒卡在相邻两钨塞之间的情况,进而提高了半导体器件加工的可靠性。 |
申请公布号 |
CN104637863A |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201310567106.5 |
申请日期 |
2013.11.14 |
申请人 |
盛美半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
杨贵璞;王坚;王晖 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆嘉 |
主权项 |
一种钨塞的形成方法,其特征在于,包括如下步骤:在介质层上形成通孔,在通孔内及介质层的表面沉积金属钨;采用化学机械研磨工艺将介质层表面的金属钨去除,通孔中的金属钨表面与介质层表面齐平;清洗介质层表面,将被研磨掉的钨颗粒全部去除;采用干法或湿法刻蚀工艺去除一定厚度的介质层,去除的介质层的厚度值与钨塞凸伸出介质层表面的高度一致。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢 |