发明名称 |
光半导体装置 |
摘要 |
本发明提供一种光半导体装置,该光半导体装置充分降低了光接收元件间的串扰(漏电流)、小型且简单。如果使用根据本发明的光半导体装置,则由于背面电极是镜面状的薄膜,所以可以容易地抑制对相邻的光接收元件的串扰,减少光半导体装置的光强度检测时的误差。另外,通过在整个背面上在构图了的背面电极或绝缘膜的底面上设置欧姆电极,可以减小背面上的接触电阻。另外,通过使用二维地配置的光半导体元件和使背面电极为镜面状的薄膜,可以改善串扰。另外,通过在具有高气密性的状态下被收存于框体,保护光半导体元件免受外部环境影响,耐湿性优良,能够确保高可靠性。 |
申请公布号 |
CN102623544B |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201210017208.5 |
申请日期 |
2012.01.19 |
申请人 |
NTT电子股份有限公司;日本电信电话株式会社 |
发明人 |
土居芳行;村本好史;大山贵晴 |
分类号 |
H01L31/10(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/10(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
高科 |
主权项 |
一种光半导体装置,包括:导电性半导体衬底、在上述导电性半导体衬底上形成的光吸收层、和在上述光吸收层上形成的导电性半导体层,其特征在于:上述导电性半导体层通过具有多个与上述导电性半导体衬底相反的导电类型的扩散区,而在上述光半导体装置中形成阵列状的光接收元件;形成为透过了上述光接收元件的光接收部的透过光入射到上述光接收部的、在上述导电性半导体衬底的底部具有形成为进行镜面反射那样的反射动作的边界是平滑的薄膜。 |
地址 |
日本神奈川 |