| 发明名称 | MOCVD设备的清洁方法 | ||
| 摘要 | 一种MOCVD设备的清洁方法，包括：向所述MOCVD设备的反应腔内通入清洁气体；利用等离子体处理装置将所述清洁气体等离子体化；将反应腔内壁的温度上升至50℃～250℃，在所述温度下利用清洁气体的等离子体清洁所述反应腔内壁。利用所述清洁方法既能自动地清除MOCVD反应腔内壁的残余沉积物，所述清洁气体的等离子体不会对所述MOCVD反应腔内壁造成损伤，且所述清洁所耗费的时间短。 | ||
| 申请公布号 | CN102615068B | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201210082876.6 | 申请日期 | 2012.03.26 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 尹志尧;杜志游;孟双;朱班 |
| 分类号 | B08B7/00(2006.01)I;B08B13/00(2006.01)I | 主分类号 | B08B7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOCVD设备的清洁方法，其特征在于，包括：向所述MOCVD设备的反应腔内通入清洁气体，所述MOCVD设备的反应腔顶部具有气体喷淋头，所述气体喷淋头内具有喷淋头冷却装置；利用等离子体处理装置将所述清洁气体等离子体化，所述等离子体处理装置的功率大于或等于1000W，利用等离子产生的热能加热反应腔内壁；将反应腔内壁的温度上升至50℃～250℃，在所述温度下利用清洁气体的等离子体清洁所述反应腔内壁；在利用所述清洁气体的等离子体清洁所述反应腔内壁的同时，所述喷淋头冷却装置内通入高温液体，使得所述喷淋头表面的温度上升至50℃～250℃。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||