发明名称 |
覆晶式发光二极管的电路结构 |
摘要 |
本实用新型提供了一种覆晶式发光二极管的电路结构,用以供至少一覆晶式发光二极管组装,每一覆晶式发光二极管具有至少两电极,电路结构于一基板的表面定义出一光发射面,且光发射面上具有复数个反射导接面,而反射导接面用以供前述覆晶式发光二极管的电极组接,使该等覆晶式发光二极管于光发射面上形成串联、并联或串并联,其中反射导接面的总面积占光发射面的面积的80%~99%;藉此,本实用新型覆晶式发光二极管的电路结构通过增加覆晶式发光二极管的电路板上的反射导接面的面积比例,有效达到覆晶式发光二极管元件的发光效率的提升。 |
申请公布号 |
CN204348716U |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201420779801.8 |
申请日期 |
2014.12.11 |
申请人 |
新世纪光电股份有限公司 |
发明人 |
蔡孟庭;洪政暐;林育锋 |
分类号 |
H01L25/075(2006.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I |
主分类号 |
H01L25/075(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
贾磊 |
主权项 |
一种覆晶式发光二极管的电路结构,其特征在于,所述电路结构用以供至少一覆晶式发光二极管组装,每一覆晶式发光二极管具有至少两电极,所述电路结构于一基板的表面定义出一光发射面,且所述光发射面上具有复数个反射导接面,而所述反射导接面用以供所述覆晶式发光二极管的电极组接,使所述覆晶式发光二极管于所述光发射面上形成串联、并联或串并联,其中所述反射导接面的总面积占所述光发射面的面积的80%~99%。 |
地址 |
中国台湾台南市善化区大利三路5号 |