| 发明名称 | 电泵浦的光电半导体芯片 | ||
| 摘要 | 在电泵浦的光电半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，所述电泵浦的光电半导体芯片具有至少两个能产生辐射的量子阱(2)，其中，能产生辐射的量子阱(2)包括InGaN或者由其组成。此外，光电半导体芯片(1)包括至少两个覆层(4)，所述覆层包括AlGaN或者由其组成。所述覆层(4)中的每个与能产生辐射的量子阱(2)中的正好一个相关联。所述覆层(4)各位于相关联的能产生辐射的量子阱(2)的p侧上。在能产生辐射的量子阱(2)与相关联的覆层(4)之间的距离为最高1.5nm。 | ||
| 申请公布号 | CN102576785B | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201080035921.1 | 申请日期 | 2010.06.30 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;于尔根·奥弗;泷哲也;约阿希姆·赫特功;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;安斯加尔·劳布施;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫 |
| 分类号 | H01L33/32(2006.01)I;H01L33/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张春水;田军锋 |
| 主权项 | 电泵浦的光电半导体芯片(1)，具有：‑至少两个能产生辐射的量子阱(2)，所述能产生辐射的量子阱包括InGaN或者由其组成；以及‑至少两个覆层(4)，所述覆层包括AlGaN或者由其组成，其中，‑所述覆层(4)中的每个与所述能产生辐射的量子阱(2)中的刚好一个相关联，‑所述覆层(4)各位于所述能产生辐射的量子阱(2)的p侧上，‑在所述能产生辐射的量子阱(2)与相关联的所述覆层(4)之间的距离为最高1.5nm，并且‑所述覆层(4)的Al含量在20％和70％之间，其中包括边界值。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||