| 发明名称 | 薄膜晶体管、像素结构及其制作方法、阵列基板、显示装置 | ||
| 摘要 | 公开了一种薄膜晶体管、像素结构、阵列基板、显示装置、及薄膜晶体管和像素结构的制作方法。一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，在所述源极和漏极上设有由氧化铝材料制成的第一钝化层，所述第一钝化层之间的与所述栅极相对应的区域具有由氧化铝材料通过掺杂离子形成的有源层。掺杂的离子包括镓离子和锡离子，使得被掺杂的氧化铝材料形成铝镓锡氧化物。由于作为绝缘材料的第一钝化层通过离子掺杂形成有源层，简化了薄膜晶体管的制作工艺，可以省略刻蚀阻挡层，从而简化薄膜晶体管的结构。 | ||
| 申请公布号 | CN104638017A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201510059734.1 | 申请日期 | 2015.02.04 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 姜春生 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 孙纪泉 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，其特征在于，在所述源极和漏极上设有由氧化铝材料制成的第一钝化层，所述第一钝化层之间的与所述栅极相对应的区域具有由氧化铝材料通过掺杂离子形成的有源层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||