| 发明名称 | 离子生成装置及离子生成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种离子生成装置及离子生成方法，其目的在于提供一种在注入离子时减少重金属离子的污染、且生成高生产率的离子的技术。所述离子生成装置(10)具备：电弧室(12)，至少一部分由含有碳的材料构成；热电子放出部(14)，向电弧室(12)内放出热电子；及气体导入口(24)，将源气体及Cokes气体导入电弧室(12)内。导入电弧室的源气体中含有卤化物气体，导入电弧室的Cokes气体中含有具有碳原子及氢原子的化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN104637764A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201410645296.2 | 申请日期 | 2014.11.11 |
| 申请人 | 斯伊恩股份有限公司 | 发明人 | 佐藤正辉 |
| 分类号 | H01J37/08(2006.01)I;H01J27/08(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 白丽 |
| 主权项 | 一种离子生成装置，其特征在于，具备：电弧室，至少一部分由含有碳的材料构成；热电子放出部，向所述电弧室内放出热电子；及气体导入部，将源气体及Cokes气体导入所述电弧室内，导入所述电弧室的所述源气体含有卤化物气体，导入所述电弧室的所述Cokes气体含有具有碳原子及氢原子的化合物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||