| 发明名称 | 制造半导体基光学系统的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造半导体基光学系统的方法，所述方法包含以下步骤：提供具有接收表面的光学构件；和经由接触印刷将可印刷半导体元件组装在所述光学构件的所述接收表面上，其中所述可印刷半导体元件包含这样的半导体结构，该半导体结构具有选自0.0001毫米至1000毫米范围的长度、选自0.0001毫米至1000毫米范围的宽度和选自0.00001毫米至3毫米范围的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN104637954A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201510002775.7 | 申请日期 | 2007.10.31 |
| 申请人 | 伊利诺伊大学评议会;森普瑞斯公司 | 发明人 | J·罗杰斯;R·纳佐;M·梅尔特;E·梅纳德;A·J·巴卡;M·穆塔拉;J-H·安;S-I·朴;C-J·于;H·C·高;M·斯托伊克维奇;J·尹 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/054(2014.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 郑建晖;杨勇 |
| 主权项 | 一种制造半导体基光学系统的方法，所述方法包含以下步骤：提供具有接收表面的光学构件；和经由接触印刷将可印刷半导体元件组装在所述光学构件的所述接收表面上，其中所述可印刷半导体元件包含这样的半导体结构，该半导体结构具有选自0.0001毫米至1000毫米范围的长度、选自0.0001毫米至1000毫米范围的宽度和选自0.00001毫米至3毫米范围的厚度。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺伊州 | ||