一种刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种刻蚀方法，涉及显示面板制造技术领域，为解决在源极和漏极两侧残留含铟物质，以及源极和漏极之间的沟道宽度较小的问题。所述刻蚀方法包括：在基板上形成栅极、有源层、像素电极层，并刻蚀形成源极和漏极；在所述源极和所述漏极上涂形成刻胶，并对所述光刻胶进行灰化，以使得灰化后的光刻胶的结构与所述源极结构和所述漏极结构的边缘均对齐；对灰化所述光刻胶时生成的氧化硅进行刻蚀；采用干刻蚀工艺刻蚀所述源极和所述漏极之间的半导体层。本发明提供的刻蚀方法用于对半导体层进行刻蚀以形成沟道。

主权项

一种刻蚀方法，其特征在于，包括：在基板上形成栅极、有源层、像素电极层，并刻蚀形成源极和漏极；在所述源极和所述漏极上形成光刻胶，并对所述光刻胶进行灰化，以使得灰化后的光刻胶的结构与所述源极结构和所述漏极结构的边缘均对齐；对灰化所述光刻胶时生成的氧化硅进行刻蚀；采用干刻蚀工艺刻蚀所述源极和所述漏极之间的半导体层。