半导体器件和用于形成半导体器件的方法

摘要

一种半导体器件包括在半导体器件的半导体衬底和被布置为邻近半导体衬底的导电结构之间的至少一个欧姆接触区。此外，该半导体器件包括在导电结构和半导体器件的半导体衬底之间的至少一个肖特基接触区。至少一个欧姆接触区被布置为邻近至少一个肖特基接触区地。半导体衬底包括被布置为邻近导电结构的第一掺杂层。在至少一个欧姆接触区的一个区域中的第一掺杂层的表面区的平均掺杂浓度不同于在至少一个肖特基接触区的一个区域中的第一掺杂层的表面区的平均掺杂浓度，相差小于10％。

主权项

一种半导体器件，包括：至少一个欧姆接触区，其在所述半导体器件的半导体衬底和邻近所述半导体衬底布置的导电结构之间；和至少一个肖特基接触区，其在所述导电结构和所述半导体器件的所述半导体衬底之间，其中所述至少一个欧姆接触区被布置为邻近所述至少一个肖特基接触区，其中所述半导体衬底包括被布置为邻近所述导电结构的第一掺杂层，其中在所述至少一个欧姆接触区的一个区域中所述第一掺杂层的表面区的平均掺杂浓度不同于在所述至少一个肖特基接触区的一个区域中所述第一掺杂层的所述表面区的平均掺杂浓度，并且相差小于在所述至少一个肖特基接触区的所述区域中所述第一掺杂层的所述表面区的所述平均掺杂浓度的10％。