| 发明名称 | 一种利用气相输运法生长二硫化钼单晶的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种气相输运生长二硫化钼单晶的方法，通过以纯钼粉和纯硫粉为原材料，在高温下进行化学反应得到多晶二硫化钼材料。再将二硫化钼多晶与五氯化钽放入三温区炉中进行气相输运反应，可以得到高纯度的二硫化钼单晶晶体。 | ||
| 申请公布号 | CN104630892A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201510090506.0 | 申请日期 | 2015.02.28 |
| 申请人 | 安庆美晶新材料有限公司 | 发明人 | 张芷铭;邱俊 |
| 分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种气相输运生长二硫化钼单晶的方法，其特征在于以纯钼粉和纯硫粉为原材料进行化学反应得到二硫化钼多晶，以二硫化钼多晶和五氯化钽进行气相运输反应得到高纯度二硫化钼单晶。 | ||
| 地址 | 246009 安徽省安庆市安庆经济技术开发区皖江大道与秦潭路交叉口滨江新区高新技术中小企业孵化中心B1栋403室 | ||