| 发明名称 | 非易失性存储装置及其控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是在防止电阻式存储元件中发生干扰的同时提高读取速度和写入速度。根据本发明的非易失性存储装置(100)包括：存储器(102)，其包括至少一个非易失性的电阻式存储元件；以及控制单元(104)，其被配置为向所述电阻式存储元件写入高电阻状态或低电阻状态，其中，所述控制单元(104)使得在写入所述高电阻状态之后的验证操作时向所述电阻式存储元件所施加的偏压的方向与在写入所述低电阻状态之后的验证操作时向所述电阻式存储元件所施加的偏压的方向彼此相反。 | ||
| 申请公布号 | CN104641417A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201380048634.8 | 申请日期 | 2013.08.09 |
| 申请人 | 学校法人中央大学 | 发明人 | 岩崎友子;宫地幸祐;竹内健 |
| 分类号 | G11C13/00(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | G11C13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 一种非易失性存储装置，包括：存储器，其包括至少一个非易失性的电阻式存储元件；以及控制单元，其被配置为向所述电阻式存储元件写入高电阻状态或低电阻状态，其中，所述控制单元使得在写入所述高电阻状态之后的验证操作时向所述电阻式存储元件所施加的偏压的方向与在写入所述低电阻状态之后的验证操作时向所述电阻式存储元件所施加的偏压的方向彼此相反。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||