光刻方法和设备

摘要

本发明公开一种使用EUV光刻设备在衬底上曝光图案化区域的方法，该光刻设备具有至少大约5倍的缩小率和至少大约0.4的数值孔径，所述方法包括步骤：使用第一曝光在衬底上曝光图案化区域的第一部分，第一部分具有比常规曝光的尺寸明显小的尺寸；和使用一次或更多次附加曝光在衬底上曝光图案化区域的一个或多个附加部分，所述一个或多个附加部分的尺寸比常规曝光的尺寸明显小。所述方法还包括重复以上步骤以在衬底上曝光第二图案化区域，该第二图案化区域设置有与第一图案化区域相同的图案，其中第一图案化区域的中心点与第二图案化区域的中心点之间的距离与常规曝光的尺寸对应。

主权项

一种使用EUV光刻设备在衬底上曝光图案化区域的方法，其中所述光刻设备具有至少大约5倍的缩小率和至少大约0.4的数值孔径，所述方法包括步骤：使用第一曝光在衬底上曝光所述图案化区域的第一部分，所述第一部分具有比常规曝光的尺寸明显小的尺寸；和使用一次或更多次附加曝光在衬底上曝光所述图案化区域的一个或多个附加部分，所述一个或多个附加部分的尺寸比常规曝光的尺寸明显小；所述方法还包括重复以上步骤以在衬底上曝光第二图案化区域，所述第二图案化区域设置有与第一图案化区域相同的图案，其中第一图案化区域的中心点与第二图案化区域的中心点之间的距离与常规曝光的尺寸对应。