半导体结构形成方法

摘要

本发明揭示了一种半导体结构形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底的正面形成有孔，孔向半导体衬底的背面延伸，在半导体衬底的正面及孔的内壁依次沉积介质层和阻挡层，然后，向孔内填充金属铜，并使半导体衬底的正面形成连续铜膜表面；以无应力电化学抛光的方式去除半导体衬底正面的连续铜膜以及孔内部分金属铜，使孔内的金属铜表面与半导体衬底正面的阻挡层表面相距一设定距离d1；对半导体衬底进行退火工艺，孔内的金属铜沿孔向上伸展；及对半导体衬底正面的阻挡层进行平坦化工艺，去除半导体衬底正面的阻挡层，孔内的金属铜表面与半导体衬底正面的介质层表面齐平。

主权项

一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底的正面形成有孔，孔向半导体衬底的背面延伸，在半导体衬底的正面及孔的内壁依次沉积介质层和阻挡层，然后，向孔内填充金属铜，并使半导体衬底的正面形成连续铜膜表面；以无应力电化学抛光的方式去除半导体衬底正面的连续铜膜以及孔内部分金属铜，使孔内的金属铜表面与半导体衬底正面的阻挡层表面相距一设定距离d1；对半导体衬底进行退火工艺，孔内的金属铜沿孔向上伸展；及对半导体衬底正面的阻挡层进行平坦化工艺，去除半导体衬底正面的阻挡层，孔内的金属铜表面与半导体衬底正面的介质层表面齐平。