一种沿面击穿型真空开关的触发电极

摘要

本发明公开了一种沿面击穿型真空开关的触发电极，包括低压极、钼套圈、陶瓷管、金属触发极、钼环、半导体涂敷层、触发极凹槽，陶瓷管设置于低压极及钼套圈中心处的贯穿孔中，并与钼套圈紧密接触，用于保证低压极与金属触发极之间的电气绝缘，金属触发极设置于陶瓷管及钼环中心处的贯穿孔中，用于保证钼环与金属触发极等电位，钼环设置于陶瓷管的上部，半导体涂覆层设置于钼套圈与钼环之间陶瓷管的管壁上,半导体涂覆层的方向与高压极施加的间隙电场方向一致，触发极凹槽设置于钼套圈、钼环、半导体涂覆层外围的低压极上。本发明能够解决现有触发电极存在的使用寿命短、耐高温性能不佳、容易烧蚀损坏的问题。

主权项

一种沿面击穿型真空开关的触发电极，由低压极、钼套圈、陶瓷管、金属触发极、钼环、半导体涂敷层和触发极凹槽构成，其特征在于，陶瓷管设置于低压极及钼套圈中心处的贯穿孔中，并与钼套圈紧密接触；金属触发极设置于陶瓷管及钼环中心处的贯穿孔中；钼环设置于陶瓷管的上部；半导体涂覆层设置于钼套圈与钼环之间陶瓷管的管壁上,半导体涂覆层的轴线方向与高压极施加的间隙电场方向平行；触发极凹槽设置于钼套圈、钼环、半导体涂覆层外围的低压极上；真空开关的触发电极工作过程中，钼套圈与钼环间的半导体涂覆层发生沿面放电，并产生较多的等离子体，经由触发极凹槽中的不均匀电场加速可迅速地进入间隙的真空介质中，改变主间隙的电场分布，从而能够降低间隙的击穿电压，保证触发的稳定可靠。