发明名称 |
掩模版组件、光刻设备、在光刻过程中的应用及投影两个或更多个像场的方法 |
摘要 |
一种用于光刻过程中的掩模版组件,在光刻过程中第一像场和第二像场被投影到衬底上的第一目标部分和第二目标部分上,掩模版组件布置成保持具有第一像场的第一掩模版和具有第二像场的第二掩模版,使得第一像场和第二像场之间的距离对应第一目标部分和第二目标部分之间的距离。本发明的多个方面还涉及包括掩模版组件的光刻设备,具有第一像场的第一掩模版和具有第二像场的第二掩模版的掩模板组件在光刻过程中的应用,在该光刻过程中将第一像场和第二像场投影到衬底上的第一目标部分和第二目标部分上,其中第一和第二像场之间的距离对应第一和第二目标部分之间的距离。 |
申请公布号 |
CN103135360B |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201210459981.7 |
申请日期 |
2012.11.15 |
申请人 |
ASML荷兰有限公司 |
发明人 |
P·范德维恩 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王静 |
主权项 |
一种光刻设备,包括掩模板组件,其中:所述掩模板组件布置成保持具有第一像场的第一掩模板和具有第二像场的第二掩模板,所述光刻设备被配置成:在沿特定的方向移动所述掩模板组件的同时将所述第一像场投影到衬底的第一目标部分上且之后将所述第二像场投影到所述衬底的第二目标部分上,以及在此之后在沿与所述特定方向相反的方向移动所述掩模板组件的同时将所述第二像场投影到所述衬底的第三目标部分上且随后将所述第一像场投影到所述衬底的第四目标部分上;和第一像场和第二像场之间的距离对应第一目标部分和第二目标部分之间的距离并且对应于所述第三目标部分和第四目标部分之间的另一距离。 |
地址 |
荷兰维德霍温 |