发明名称 |
双轴张应变GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 |
摘要 |
本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底(101)、源极和漏极(102,103)、GeSn沟道(104)、绝缘介电质薄膜(105)以及栅电极(106)。源漏区域材料的晶格常数比GeSn沟道材料的晶格常数大,GeSn沟道形成XY面内的双轴张应变。这种应变有利于沟道GeSn材料由间接带隙结构变为直接带隙结构,电子迁移率大大提高,从而提高MOSFET性能。 |
申请公布号 |
CN103730507B |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201310752794.2 |
申请日期 |
2013.12.31 |
申请人 |
重庆大学 |
发明人 |
刘艳;韩根全;刘明山 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/161(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
重庆华科专利事务所 50123 |
代理人 |
康海燕 |
主权项 |
一种带有双轴张应变的GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,其特征在于,具有一GeSn沟道、一衬底、一源极、一漏极、一绝缘介电质薄膜和一栅电极;所述源极或者漏极通过外延生长或者键合方式生长在衬底上,其材料为弛豫的单晶半导体材料GeSn,源极、GeSn沟道和漏极形成竖直器件结构;所述绝缘介电质薄膜环绕生长在GeSn沟道上,所述栅电极覆盖在绝缘介电质薄膜上;所述源极或漏极材料的晶格常数比GeSn沟道晶格常数大;所述沟道GeSn材料的通式为Ge<sub>1‑<i>x</i></sub>Sn<i><sub>x</sub></i>,其中0≤<i>x</i>≤0.25;所述源极和漏极材料为单晶GeSn,通式为Ge<sub>1‑y</sub>Sn<sub>y</sub>,其中0≤y≤0.25,x<y。 |
地址 |
400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 |