| 摘要 |
<p>【課題】縦型トランジスタであるSurrounding Gate Transistor（ＳＧＴ）を用いて、ＳＧＴ−ＮＡＮＤフラッシュメモリ用のデコーダを小さい面積で構成する半導体装置を提供する。【解決手段】複数の選択信号線をＳＧＴ構造のＮＡＮＤフラッシュメモリの行選択線に選択的に接続するＭＯＳトランジスタにより構成される行選択デコーダにおいて、ＭＯＳトランジスタは、基板上に形成された平面状シリコン層１０２ｎａ上に形成され、ドレイン、ゲート、ソースが垂直方向に配置され、ゲート１０６がシリコン柱１０４ｐを取り囲む構造を有し、平面状シリコン層１０２ｎａは第１の導電型を持つ第１のドレイン領域と第２の導電型を持つ第２のドレイン領域からなり、それらが平面状シリコン層１０２ｎａ表面に形成されたシリコン層を通して互いに接続される。【選択図】図２ｄ</p> |
