发明名称 | 具有平衡的金属密度和阻焊层密度的衬底设计 | ||
摘要 | 本发明提供了具有平衡的金属密度和阻焊层密度的衬底设计。一种封装件,包括封装衬底,封装衬底包括选自由核心和中间金属层组成的组的中间层、覆盖在中间层上面的顶部金属层和位于中间层下面的底部金属层。覆盖在中间层上面的所有金属层具有第一总金属密度,第一总金属密度等于在中间层上方的所有金属层的所有密度的总和。位于中间层下面的所有金属层具有第二总金属密度,第二总金属密度等于在中间层下面的所有金属层的所有密度的总和。第一总金属密度和第二总金属密度之差的绝对值小于约0.1。 | ||
申请公布号 | CN104637903A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
申请号 | CN201410020876.2 | 申请日期 | 2014.01.16 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林育蔚;陈冠宇;梁裕民;郭庭豪;陈承先 |
分类号 | H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
主权项 | 一种封装件,包括:封装衬底,包括:中间层,选自由核心和中间金属层组成的组;顶部金属层,覆盖在所述中间层上面,其中,覆盖在所述中间层上面的所有金属层具有第一总金属密度,所述第一总金属密度等于位于所述中间层上方的所有金属层的所有密度的总和;以及底部金属层,位于所述中间层下面,其中,位于所述中间层下面的所有金属层具有第二总金属密度,所述第二总金属密度等于位于所述中间层下面的所有金属层的所有密度的总和,并且所述第一总金属密度和所述第二总金属密度之差的绝对值小于约0.1。 | ||
地址 | 中国台湾新竹 |