| 发明名称 | 用于制造鳍片场效应晶体管器件的方法和鳍片场效应晶体管器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于制造鳍片场效应晶体管器件的方法和鳍片场效应晶体管器件。一种用于制造鳍片场效应晶体管(鳍片FET)器件的方法，包括在衬底上形成多个鳍片到第一厚度，在所述的鳍片的部分上形成牺牲栅极叠层，使用离子注入形成源漏结，在所述衬底上形成介电层，去除所述牺牲栅极叠层以暴露所述鳍片的所述部分，细化所述鳍片的暴露部分到小于所述第一厚度的第二厚度，以及在所述鳍片的细化的暴露部分上形成栅极叠层以代替去除的牺牲栅极叠层。 | ||
| 申请公布号 | CN104637818A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201410643729.0 | 申请日期 | 2014.11.11 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | P·克贝尔;欧阳齐庆;A·雷茨尼采克 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 牛南辉;于静 |
| 主权项 | 一种用于制造鳍片场效应晶体管(鳍片FET)器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成多个鳍片到第一厚度；在所述鳍片的部分上形成牺牲栅极叠层；使用离子注入形成源漏结；在所述衬底上形成介电层；去除所述牺牲栅极叠层以暴露所述鳍片的所述部分；细化所述鳍片的暴露部分到小于所述第一厚度的第二厚度；以及在所述鳍片的细化的所述暴露部分上形成栅极叠层以代替去除的所述牺牲栅极叠层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||