| 发明名称 | IGBT器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种IGBT器件及其制造方法，所述IGBT器件具有空穴通路结构，所述IGBT器件的发射区与所述IGBT器件的发射极金属电极之间串联有发射区镇流电阻。本发明的IGBT器件能够同时改善空穴电流和电子电流，提高常温与高温环境下IGBT器件的抗闩锁能力和短路能力。另外，本发明还提供了该IGBT器件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104637996A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201510098038.1 | 申请日期 | 2015.03.05 |
| 申请人 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 发明人 | 韩健;顾悦吉;刘慧勇 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张振军 |
| 主权项 | 一种IGBT器件，所述IGBT器件具有空穴通路结构，其特征在于，所述IGBT器件的发射区与所述IGBT器件的发射极金属电极之间串联有发射区镇流电阻。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市经济技术开发区10号大街（东）308号 | ||